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　　硅光技术作为数据中心、人工智能及高速通信的核心引擎，正迎来爆发式增长，但其产业化进程面临严峻测试瓶颈。当前行业普遍依赖改造自电芯片测试设备或进口系统，缺乏针对光子器件光学特性（如波长敏感性、相位精度）优化的专用平台，导致12英寸晶圆级测试面临三大核心挑战：其一，光栅耦合对准精度不足，重复定位误差导致测试稳定性差；其二，多通道并行光电信号同步采集能力缺失，测试效率低下；其三，缺乏对热漂移、应力敏感性的原位监测，误测率高。这些问题直接造成测试成本高，行业平均良率长期徘徊于低位，严重制约800G/1.6T光模块、CPO等先进技术的量产进程。随着12英寸硅光晶圆加速成为主流，开发自主可控的高精度、高通量专用测试设备，已成为打通硅光芯片设计-制造-封测全链条、突破产业化瓶颈的战略性需求，亟待通过系统性技术攻关解决产业痛点。

　　（2）除（1）之外的其他新知识产权，归属于甲乙双方共有。甲乙双方共有的知识产权，任何一方可自行使用（即甲方有权自行实施共有知识产权用于教育教学，乙方（含控制乙方或被乙方控制的关联公司，此处的“控制”系指直接或间接持有乙方50%以上股权或表决权）有权自行实施共有知识产权并独自享有由此产生的全部收益），但未经另一方书面同意，任何一方不得单方对外公布、发表，或授权给其他第三方使用，或申请专利、著作权登记、申请商标注册等。